富士通瞄准下一代蜂窝电话，推出一种新型堆叠式多芯片器件，内含6?Mbit双运行闪存和32Mbit移动快速循环RAM(FCRAM)。
富士通的新型多芯片存储器方案设计用于下一代手机，这种手机能进行电子邮件收发、图像显示、互联网接入、视频游戏以及其他业务等。
名为MB84VD23483EJ的新型多芯片器件将或非型闪存和移动FCRAM结合起来，结合起来后的这种器件具有一个异步接口，并与SRAM兼容。备用模式下，其中的闪存芯片的最大电源消耗为5微安，移动FCRAM的耗电为100微安。
关机状态下，这种多芯片器件的耗电为10微安。其闪存和FCRAM的存取时间一般都为90纳秒，工作电压为2.7伏至3.1伏。
新型存储器样品采用塑料型球栅阵列(BGA)封装，将于五月推出。十月将开始大批量生产。起价大约为每片60美元。
