导语：电脑系统的效能精进，在近年来遭遇一些问题，例如处理器的时脉撞墙(Clock Wall)问题，即运作时脉难以超越4GHz，2011年第4季Intel推出第二代的Core i7处理器达3.9GHz，至今Intel所有的处理器均未超过3.9GHz。
时脉撞墙逼迫Intel放弃过往惯用的时脉提升加速法，取而代之是以增加处理器的核数来提升效能，事实上AMD早于2005年即提出双核构想(仿效2000年IBM提出的POWER4)，2006年Intel跟进推出Core Duo，此后x86 CPU的效能提升，即是在时脉与核数及功耗间求取平衡。
另一个问题是记忆体撞墙(Memory Wall)，事实上这个问题比时脉撞墙问题严重，且发生的时间更早。根据统计，1986年到2000年间，处理器的效能每年以55%的幅度在成长，但相对的，记忆体仅有每年10%的速度增长。
很明显的，记忆体逐渐成为整体电脑系统效能中的“瓶颈”，为此Intel多次运用晶片组市占率，引领与逼迫并用地让电脑记忆体产业升级，先是自最传统的FPM RAM升级成EDO RAM，而后升级成SDRAM。
但Intel期望产业自SDRAM升级成RDRAM时，RDRAM的发展却不如预期，且Intel支援RDRAM的i820晶片组发生瑕疵，迫使Intel放弃RDRAM，回归大宗主流的SDRAM，而后随JEDEC组织的制订进入DDR SDRAM(原有的SDRAM则为区别，称为SDR SDRAM)。不仅Intel失败，相近时间NEC也曾提出VC RAM(Virtual Channel，虚拟通道)，期望改善记忆体的存取效能，但也未能获得市场认同。
数年后Intel再次尝试突破现状，记取RDRAM技术变革过大且独家主导等缺点，2005年Intel提出FB-DIMM(Full Buffered Dual In Line Memory Module)，在不改变原有DRAM产业的情况下，透过AMB(Advanced Memory Buffer，先进记忆体缓冲器)晶片来加速传输，并将FB-DIMM标准提交，2006年获得JEDEC组织认可，以利推行。但到了2011年，Intel、AMD等均放弃使用FB-DIMM，再一次失败。
从RDRAM到FB-DIMM，已接近十年时间，即记忆体撞墙效应问题一直未明显纾解，只能采渐进方式维持，如从DDR2 SDRAM升级成DDR3 SDRAM，而后将进入DDR4 SDRAM，但世代之别大体只在运作电压的降低、制程的精进，其实变化不大。
为了解决问题，2011年Micron提出Hybrid Memory Cube技术，简称HMC。Micron宣称HMC比DDR3 SDRAM快上15倍，并为此发起成立Hybrid Memory Cube Consortium组织，与其他业者共同推行。
HMC主要是运用3D IC的TSV(Through-Silicon Via，矽穿孔)技术，将4至8个现有主流大宗的DDR3 SDRAM裸晶连接，并共同封装，并在封装内由一片逻辑裸晶(Logic Die)担任记忆体控制器的角色，统筹与多个DDR SDRAM裸晶的存取沟通，以此加速。
虽然2011年提出HMC技术、2012年发起HMCC组织，但HMC标准化的技术规格至2013年才提出，在历经1.0版、1.1版后，于2014年提出2.0版，2.0版将传输率自15Gbps倍增至30Gbps。
许多业者将改善记忆体撞墙效应的希望寄托在HMC技术上，不过目前为止的推进仍很缓慢，截至目前为止仍未见有采行HMC记忆体的电脑系统，预计2015年才会登场，即便如期登场，从技术到系统也历经4年时间。
另外，或许有人对HMC技术的推展抱持乐观，因为HMCC组织中，8家关键业者有3家为记忆体大厂，即Micron、Samsung、SK Hynix。但是，10多年前的RDRAM，也是获得Intel、Samsung、Micron等大厂的入资或换股，最终RDRAM并没有成为新一代的主流记忆体，因此，对HMC的推行仍难有乐观的理由。
如果记忆体撞墙效应无法解决，那么无论使用多好的固态硬碟(SSD)，多好的运算负荷卸载(Offload)网卡，则都有其限，因为硬碟、网路均在记忆体之下，看来产业只能期许这个延宕多年的问题能早日解决。 |
