低功耗、高容量并降低电路板占用空间，在这份优势清单当中，AMD公司为其即将推出的高带宽内存（简称HBM）架构下足了宣传功夫。
AMD公司此前已经在一份白皮书中对HBM的细节情况作出了一番粗略说明，目前这套架构即将开始在部分Radeon 300系列显卡当中出现，同时也将作为AMD公司尚正处于规划当中的高性能计算集群化发展战略的组成部分。
除了功耗降低之外，新机制也将减少自身在垂直堆栈当中的占用空间：这套方案将利用硅通孔实现晶粒与晶粒间的连通，而微焊点则负责实现硅通孔间的物理隔离。
各硅通孔贯通整块芯片并达至逻辑晶粒，最终通过中介层接入封装基板。该中介层的作用是实现面向CPU或者GPU的快速连接，AMD公司宣称其性能表现“与芯片集成内存几乎没有区别”。
与此同时，这样的性能表现只需更低时钟速率即可实现，在HBM上需500 MHz，而在GDDR5上则需要1.75 GHz，再配合上1.3伏工作电压（GDDR5为1.5伏）意味着新规范能够实现50%的功耗缩减，且一举将每瓦带宽提升至过去的三倍（HBM为每瓦每秒35 GB，GDDR5则为每瓦每秒10.66 GB）。
AMD公司表示，更小物理尺寸在功耗节约与性能提升方面带来的另一大优势在于，HBM内存将能够与CPU/GPU一样被集成在同一基板之上。
HMB能够像处理器那样将内存旋转在同一基板之上
Hothardware网站认为，采用这一技术的首款样品将于今年六月随AMD的下一代GPU一同亮相。
